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“长晶科技”相关结果约6212条，品牌中英文名为长晶科技(JSCJ)

长晶科技（JSCJ）是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，其前身为长电科技（全球知名的集成电路封装测试企业）分立器件部门。长晶科技（JSCJ）主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等，拥有15000多个产品系列和型号，广泛应用于各消费类、工业类电子领域。

晶体管 MOSFET LDO DC-DC 基准电源电压检测IC 复位IC 锂电保护IC 充电管理IC 三端稳压集成电路霍尔IC 石英晶体谐振器石英晶体振荡器 VCXO TCXO开关二极管 PIN二极管肖特基二极管稳压二极管 ESD TVS 整流二极管快恢复二极管整流桥数字晶体管达林顿管低饱和晶体管高压开关管

代理服务线上商城技术资料

长晶科技（JSCJ）分立器件/电源管理IC/频率器件选型指南

公司简介配套方案实际案例选型表

长晶科技 - MOSFET,充电IC,传统稳压IC,超低功耗LDO,CRYSTAL OSCILLATORS,小信号器件,晶闸管,小信号MOS,TVS,振荡器,数字管,RECTIFIERS,OSCILATORS,功率器件,LV MOS,SENSITIVE GATE SCRS,THYRISTOR,标准螺旋电缆,肖特基二极管,晶体管,OPERATIONAL AMPLIFIER,整流器,整流桥,频率器件,SPXO,RCD,谐振器,三极管,SR MOSFET,直流斩波器,稳压管,复合管,STANDARD SCRS,SMD SEAM SEALING CRYSTAL,MEMS CRYSTAL OSCILLATORS,敏感栅可控硅,低内阻MOS,高频管,DC-DC,低压MOS,SWITCH DIODES,电源管理芯片,ESD,放大器,时钟谐振器,温补振荡器,CHARGER,SMD接缝密封晶体,高压MOS,复位IC,静电管,微机电工艺振荡器,CRYSTALS,低压差线性稳压器,电池保护IC,TRANSISTOR,锂电保护MOS,DIODES,金属罐型晶体,METAL CAN TYPE CRYSTAL,转向叉晶体,晶振,HV MOS,静电保护TVS,整流管,运放,TCXO,晶体震荡器,电源管理IC,低功耗LDO,开关二极管,TURNING FORK CRYSTAL,双向可控硅,晶体,POWER DEVICES,QMEMS,TVS管,LV MOSFET,RECTIFIER,FAST RECOVERY DIODE,AMP,LITHIUM BATTERY PROTECTION MOS,中压MOS,低压MOSFET,POWER MANAGEMENT CHIPS,晶体振荡器,DISCRETE DEVICES,POWER MANAGEMENT IC,微机电系统晶体振荡器,快恢复二极管,电池保护 IC,电压检测器,CRYSTAL,MV MOS,VOLTAGE DETECTOR,EMI整流桥,双极型晶体管,SBD,刚果民盟,LDO,浪涌管,静电TVS管,TRIACS,SCHOTTKY DIODE,检测IC,BIPOLAR TRANSISTOR,开关管,复位/检测IC,SMALL SIGNAL DEVICES,充电器,FREQUENCY DEVICES,锂电池保护MOS,OSCILLATORS,MOS,磁传感器,分立器件,金属氧化物半导体,基准源稳压IC,FRD,二极管,CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ63,CONSUMER ELECTRONIC,储能设备,手机,消费电子,扫地机,快充适配器,电动工具,TWS耳机,扫地机器人,智能手机,PD快充,电机驱动,AUTOMOTIVE ELECTRONICS,锂电充电保护板,警察,平板电脑,INDUSTRIAL ELECTRONIC,锂电保护板,无线充电器,工业电子,PD,消费类穿戴电子产品,PC主板,户外电源,手机电池保护板,汽车电子,5G基站电源,工业电子学

2021/12/27 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

长晶科技可控硅选型表

长晶科技提供如下可控硅的技术选型:VDRM(V)范围：+400~+800；VRRM(V)范围：0~+800；IT(RMS)(A)范围：+0.6~+25.....长晶科技的可控硅有SOT-23、SOT-89K、TO-126、TO-126K等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	VDRM(V)	VRRM(V)	IT(RMS)(A)	IGT Min(uA)	IGT Max(uA)	IGT@VAK(V)	VGT(V)	Package
MCR100-8_SOT-89-3L	可控硅	Active	600	600	0.8	5	200	7	0.8	SOT-89-3L

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长晶科技整流桥选型表

长晶科技提供如下整流桥的技术选型:I(AV)(A)范围：+0.8~+35;VRRM(I=IRM)(V)范围：+40~+1000；IFSM(A)范围：+8~+400.....长晶科技的整流桥有DFNWB3.0*3.0-4L、GBP、GBU、JBF等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	I(AV)(A)	VRRM(I=IRM)(V)	IFSM(A)	VFM(V)	IRM@TA=25℃(µA)	Package
RMSB40M_UMSB	整流桥	Active	4	1000	100	1.3	5	UMSB

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长晶科技MOS选型表

长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）

RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）

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长晶科技锂电保护IC选型表

长晶科技提供如下锂电保护IC的技术选型:Vshort(V)范围：+0.8~+1.36；VDET1(V)范围：+4.25~+4.475；VDET2(V)范围：+2.4~+2.8；VDET3(V)范围：+0.08~+0.16；VDET4(V)范围：-0.16~-0.08.....SOT-23-6L封装形式的锂电保护IC可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	VDET1(V)	VREL1(V)	VDET2(V)	VREL2(V)	VDET3(V)	Vshort(V)	Package
CJDW01A_SOT-23-6L	锂电保护IC	Active	4.3	4.1	2.4	2.9	0.15	1.36	SOT-23-6L

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长晶科技IGBT选型表

长晶科技提供如下IGBT的技术选型:VCES(V)范围：+650~+1700；Ic@Tc=100℃(A)范围：+6~+600；Ic@Tc=25℃(A)范围：+12~+170；Vcesat(V)范围：+1.5~+1.8；Eon(mJ)范围：+0.052~+145.....具有industrial、automotive两种Product Grade，Diode Type:SiC，长晶科技的IGBT有TO-263、TO-220FA、TO-247、TO-247plus等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	VCES(V)	Ic@Tc=100℃(A)	Vcesat(V)	Switching Frequency(KHZ)	Short Current Withstand Time(us)	Eon(mJ)	Eoff(mJ)	Configuration	Package
MCP75N120S2C3_C3	IGBT模块	Active	1200	75	1.65	8~20	10	6	2.6	7-unit	C3

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长晶科技开关三极管选型表

长晶科技提供如下开关三极管的技术选型:PD(W)范围：+0.625~+2；IC(A)范围：+0.2~+8；BVCBO(V)范围：+600~+700；BVCEO(V)范围：+400~+450；BVEBO(V)范围：+6~+9.....长晶科技的开关三极管有TO-220-3L、TO-126、TO-92、TO-126等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

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长晶科技稳压器选型表

长晶科技提供如下LDO的技术选型:VOUT(V)范围：-15~ADJ；IOUT(mA)范围：+100~+1000；IQ(μA/mA)范围：-6.5mA~10mA；PSRR@1KHZ(dB)范围：+30~+80；Accuracy(%)范围：+0.03~+4.....长晶科技的LDO有TO-220F、TO-251、DFNWB1x1-4L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	VIN min(V)	VIN max(V)	VOUT(V)	IOUT(mA)	IQ(µA/mA)	Vdrop(mV)	PSRR@1KHZ(dB)	Accuracy(%)	Package
CJ6101A18M_SOT-23-3L	LDO	Active	1.8	6	1.8	300	0.8µA	110	50	2	SOT-23-3L

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长晶科技运放IC&驱动IC选型表

长晶科技提供如下运放IC和驱动IC的技术选型:VS (V)范围：-5~+36；Channels范围：1~4；GBP(MHZ)范围：+0.5~+10；CMRR(dB)范围：+70~+100.....产品结构有Integrated FET、Gate driver两种类型可选，具有轨到轨低功耗和通用型多种产品特性，长晶科技的运放IC和驱动IC有DFNWB3×3-10L、ESOP8、MSOP8、QFNWB6x6-44L、SOP14等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

Number of Full Bridge

Control Mode

Full-scale Current(A)

Peak Output Current(A)

RDS ON (HS + LS)(mΩ)

Sleep Current(µA)

Operating Temperature Range(°C)

Miro-stepping Levels

CJDR5958_DFNWB3×3-10L

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长晶科技复合管选型表

长晶科技提供如下复合管的技术选型:ID(A)范围：-3.3~+0.8；VGS(th)(V)范围：-0.45~+2.5；VBR(DSS)(V)范围：-20~+60.....具有PNP+N-ch、NPN、ZD+PMOS、ZD+NMOS四种Polarity模式可选，长晶科技的复合管有SOT-353、WBHFBP-06L-F、DFNWB2×2-6L-SA等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号	品类	Status	Polarity	Package	ID(A)	VGS(th)(V)	VBR(DSS)(V)	VCEO(V)	IC(mA)	hEF Min(V)	hEF Max(V)
CJMNT32_WBHFBP-06L-F	Power Management Transistors-MOSFET	Active	PNP+N-ch	WBHFBP-06L-F	0.8	0.44~1.1	20	-32	-1500	100	300

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长晶科技TVS选型表

长晶科技提供以下技术参数的TVS选型，VRWM：1.8V~36V，IR：0.01uA~40uA等

产品型号	品类	Ppp(W)	VRWM(V)	VBRMin(V)	VBRMax(V)	IR(uA)	CJ(PF)	VC(V)	IPP(A)
AD-ESDBNB24VS2_SOT-23	TVS	330W	24V	27.4V	33.7V	1uA	36PF	44.7V	7.5A

选型表 - 长晶科技立即选型

长晶科技数字晶体管选型表

长晶科技提供如下数字晶体管的技术选型:IO(mA)范围：-100~+500；VCC(V)范围：-50~+50；VO(on)(V)范围：-0.3~+0.3；Pc(mW)范围：+100~+625.....具有PNP、NPN两种Polarity模式可选，长晶科技的数字晶体管有TO-92、SOT-353、SOT-363、SOT-523等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。